在湖山接下来一周多时间，胡一亭全身心投入闪存颗粒设计之中。
因为湖研院研发的三项目前国际领先的新技术技改已经有了初步成果，所以之前对闪存颗粒进行了第一轮工程流片，已经拿出了数量极少的工程样品，但目前湖研院的实验室0.35微米制程还不成熟，尝试实验流片下，良品率低的要死，连续做了五张晶圆后经测试只得到11片合格产品。
但好在只要有了样品就会让讲解变得直观，胡一亭可以就样品对湖研院和从北都央研院赶来参与研发的诸多工程师们进行有针对性的解释，其中就有刚刚硕士毕业加入重光进行博士实习的曹玉暖，和已经在湖研院驻扎了一个星期的赵赫等北都赶来的芯片设计人员，当然还有从成光所过来的专家们，而还未离开湖山的马所也在其中，得知胡一亭今天要对国内第一次0.35微米工程流片进行技术讲解，他特意推迟了回成都的日程。
湖研院里有内部锅炉，暖气片成天都烧的滚烫，会议室热的让人冒汗，胡一亭只穿了件白长袖衬衫，单薄的羊毛西裤站在会议室前，对着电脑将样品在电子显微镜下拍摄的一张张照片用幻灯机投在屏幕上，芯片上以纳米为单位的微结构被放大如斗，
他昨晚在办公室睡了一宿，此刻精神饱满，对着长桌两侧三十多双睿智专注的眼神，侃侃而谈道：“这些照片大家开会前都已经看过，对栅极埋入层的形貌结构心里也都有数了，我来给大家分析一下，看看和大家自己做出的分析是不是一样。”
“首先我认为，我们这次工程流片之所以会出现大批不能读写的次品，良品率极低，主要原因虽然有湖研院目前的0.35微米实验制程不成熟，但再怎么不成熟，良品率也不能这么低，真正搞出次品的原因是因为我们的埋入晶圆的栅极扩散层形态异常。”
会议室里大家都松了口气，尤其是目前正在攻关实验室0.35微米制程的工程师们，都觉得胡一亭这句话实在是对他们的最大安慰。
“大家看这张电镜探伤图，左边是这次的良品，右边是这次的不合格品，左边正常形态下的埋入层扩散结构和右边的区别是很明显的，我知道大家现在一定在想，为什么会出现右边这些次品？
问题出在哪呢？我来告诉大家，根据我的判断，这是因为我们扩散层离子注入时，因为注入机的真空度不够，从而引起埋入扩散层的氧化膜厚度中间薄周边厚，薄的部分隔离差，造成中间漏电。”
台下工程师们有的表情恍然大悟，有的则是兴奋地点头，表示不出所料，胡一亭的判断和他们一样。
胡一亭继续道：“这个问题我不展开细说，前段时间我不在，做坏了情有可原，反正总算还锻炼了队伍，提高了大家攻关克难的经验，我认为失败也是好事，给了我们总结的经验嘛，要是不出事，我倒觉不好，那样一来大家反而什么都学不到。”
胡一亭继续道：“之前经过奚所与长沙光电设备研究所也就是电科48所紧急协调，他们立刻派了团队，并带来了他们目前正在研发中的新型离子注入机的改良版真空部件，目前正在对我们的旧型号设备进行升级改装，从他们给出的新设备真空参数来看，改装升级以后应该就能马上解决问题，过几天第二批工程流片出来以后，大家对着电镜图片就能看出区别了。”
在座的工程师们有的心里还是悬着，担心这次改装升级要是依然解决不了问题可怎么办呢，但大多数人都对胡一亭心服口服，觉得他能一眼看出问题的关键已经不简单，而又能够立刻寻找出解决问题的答案，这就更难了，这得是多么专业多么老道的经验啊！这哪是一个18岁的青年！简直像一只在制程工艺研发里泡了多年的狐狸精。
胡一亭不管大家怎么想，继续按动鼠标，把投影仪上的图片换了一张，继续讲解道：“这张图很经典啊，没想到我这辈子还能看见这个形态，大家记住，根据我十几年的制程经验判断，这是栅邬化硅附着不良的典型特征，是多晶硅生长工艺的问题，解决方案是改进栅邬化硅生长前的清洗工艺，从而消除附着不良的现象。”
胡一亭说完，大家先是一副原来如此的表情，接下来都愣住了，随即会议室里爆发出一阵不大的笑声，大家都面带微笑，以为胡一亭在开玩笑。
胡一亭也是一愣，这才反应过来自己口误了，赶紧解嘲：“我开个玩笑，大家都知道我才18岁嘛，哈哈……哈哈……哈……”他笑的尴尬，越解释越觉得像个冷笑话。
旁边坐着的奚龙山笑的两眼眯成一条线，心说胡一亭这冷笑话大概是想嘲讽那些没看出关键点的人吧，说实话自己虽然看出问题来了，但真的不能第一时间确定原因是出在栅邬化硅生长前的清洗工艺上，只是有所怀疑罢了，从这一点上说，胡一亭真像是个有十几年制程经验的顶级科学家！眼光又老又毒！
接着胡一亭继续给大家讲解今后制程工艺需要改进的地方和具体方法，大家听得津津有味，飞快地记着笔记，人人都觉得眼前被胡一亭打开了一扇崭新的大门，而这道门是以前一直苦于西方技术封锁而始终不得窥其究竟的！在场科学家和工程师们觉得自己仿佛在听世界级实验室出来的顶级专家传授绝密技术，而荒唐之处却在于，这位专家今年严格来说还不到18岁！
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